Ch28（3/4）：各向异性金属电阻率与雪崩

各向异性金属电阻率

在薄金属层结构中，金属电阻率可能沿不同坐标轴而不同（请参阅第317页的金属中的输运）。

注意： 各向异性金属电阻率选项不支持导电绝缘体（请参阅第322页的导电绝缘体）。

此选项类似于第935页的总各向异性迁移率。Sentaurus Device 假设金属电阻率在垂直于各向异性方向（请参阅第931页的 Aniso(direction) 与 LatticeParameters 的比较）的所有方向上相同，而沿该方向为。各向异性因子定义为比值：

要激活此选项，请在命令文件中按区域或全局指定金属电阻率各向异性因子，如下所示：

tcl

Physics {
   Aniso( MetalResistivityFactor(Total) = r )
}

此选项的工作方式类似于第935页的自洽各向异性迁移率。要设置此选项，参数文件中的 MetalResistivity 和 MetalResistivity_aniso 部分都应用于定义金属电阻率各向异性及其温度依赖性。

要激活此选项，请在命令文件中按区域或全局使用以下规范：

tcl

Physics{
   Aniso( MetalResistivity )
}

Sentaurus Device 根据第521页的方程469计算雪崩产生。在各项同性情况下，项和也可以分别写为：

如果各向异性迁移率被开启，则方程975和方程976被替换为：

注意： 方程977和方程978仅适用于总方向相关和自洽迁移率计算。如果您选择了总各向异性选项，则使用方程975和方程976（请参阅第935页的总各向异性迁移率）。

可以在 Physics 部分中独立于电子和空穴激活各向异性雪崩计算：

tcl

Physics {
   Aniso(
      eAvalanche
      hAvalanche
   )
}

关键字 Avalanche 激活电子和空穴的各向异性雪崩计算：

tcl

Physics { Aniso( Avalanche ) }

在各向异性模式下，可以沿各项同性和各向异性轴指定不同的雪崩参数。

表157 各向同性雪崩模型及其各向异性版本

各向同性雪崩模型	各向异性雪崩模型
vanOverstraetendeMan	vanOverstraetendeMan_aniso
Okuto	Okuto_aniso

Sentaurus Device 使用插值来计算任意电流方向的雪崩参数。设是第935页方程969中定义的电子或空穴电流方向。在晶体参考系中，电流为：

Sentaurus Device 根据电流方向插值雪崩参数：

PMI 还支持各向异性雪崩产生的计算。不含迁移率的电流作为输入参数传递，PMI 代码可以使用它来确定取决于电流方向的模型参数（请参阅第1311页的雪崩产生）。

注意： Hatakeyama 雪崩模型是一个各向异性雪崩模型（请参阅第531页的 Hatakeyama 雪崩模型）。但是，它不能与 Aniso(Avalanche) 规范一起使用。