Appearance
生成网格和掺杂轮廓
NOTE
原文来源：Sentaurus Structure Editor User Guide, Version W-2024.09, Synopsys, Inc. PDF 源页码：第 7 章，对应 PDF 第 240–271 页
网格操作概述
SDE 中定义的网格细化窗口和掺杂轮廓会传递给 SMesh，由 SMesh 实际生成体积网格。SDE 负责：
- 定义细化区域（refinement windows）
- 定义掺杂分布轮廓
- 输出结构信息给 SMesh
定义网格细化区域
矩形/多边形细化窗口（二维）
Mesh > Refinement Window > Rectangular/Polygonal
- 用鼠标框选矩形或绘制多边形
- 该区域内 SMesh 会自动加密网格
- 用于结区、耗尽区等需要更高精度的位置
长方体/多面体细化窗口（三维）
Mesh > Refinement Window > Cuboidal/Polyhedral
- 三维空间定义细化区域
- 支持从三维界面提取
从面提取细化窗口
可以从三维实体的界面提取二维细化窗口：
Mesh > Refinement Window > Extract From Face
适用于：
- 栅氧界面
- PN 结界面
- 异质结界面
这些位置通常需要更高网格密度。
从三维实体界面提取细化窗口
Mesh > Refinement Window > Extract From 3D Body Interface
在三维实体之间的界面创建细化窗口，支持复杂三维结构。
删除细化窗口
Mesh > Delete Refinement Window 选中后删除。
定义掺杂轮廓
定义常数掺杂
Doping > Constant Profile
- 选择区域
- 输入掺杂浓度（cm⁻³）
- 选择掺杂类型（N 型 / P 型）
简单均匀掺杂用这个最快。
解析掺杂分布
Doping > Analytic Profile
支持多种解析函数分布：
- 均匀
- 线性梯度
- 高斯
- 指数
- 余误差函数（erf），对应离子注入分布
可以组合多个解析分布得到复杂掺杂。
包含外部二维和三维掺杂分布
Doping > Import Profile
- 从文件导入掺杂分布数据
- 支持 ASCII 格点格式
- 支持 Sentaurus Process 输出的掺杂分布
粒子掺杂分布
Doping > Particle-Based Doping
用于离子注入蒙特卡罗（MC）模拟后的粒子投影掺杂分布，SDE 可以：
- 读取粒子列表
- 构建连续掺杂分布
- 传递给 SMesh 加密网格
本章示例
常数掺杂 + 结区细化
scheme
; 定义 N 型衬底，掺杂浓度 1e15 cm^-3
(sde-doping:constant region substrate 1e15 n-type)
; 在 PN 结区创建细化窗口
(sde-mesh:refinement-window-rectangle x1 x2 y1 y2)离子注入高斯掺杂
scheme
; 高斯掺杂，峰值 1e18 cm^-3， projected range Rp，标准差 σRp
(sde-doping:gaussian region peak Rp sigmaRp n-type)TIP
- 掺杂浓度单位保持 cm⁻³，与 Sentaurus 约定一致
- 结区一定要定义细化窗口，否则网格太粗得不到准确电学特性
- 界面处掺杂梯度大，需要加密网格