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SProcess Ch7:Advanced Calibration

> 来源:sprocess_ug.pdf(W-2024.09),Chapter 7,PDF p.722-724。
> 适用对象:SiSiGeGe4H-SiC / SiC 工艺流程仿真。

7.1 概述

本章说明如何在 Sentaurus Process 中使用 Advanced Calibration。
Synopsys Engineering & Consulting 持续改进仿真模型,并针对最新工艺优化模型参数。
这项工作基于长期的客户模型标定经验,以及不断扩展的、面向先进工艺的二次离子质谱(SIMS)剖面数据库。
在 Sentaurus Process 中启用 Advanced Calibration 后,你可以获得一套已完成标定的模型和参数,覆盖从功率器件到先进 CMOS 的广泛技术范围。
借助这套参数,你可以在离子注入、掺杂扩散与激活、超浅结形成、表面剂量损失等器件制造流程中得到较高精度结果。
当前版本的 Sentaurus Process 为连续介质仿真提供了两套不同的 Advanced Calibration 参数文件。
默认的 Advanced Calibration 模型与参数集面向硅、SiGe 和锗衬底仿真。
在当前版本中,该参数文件名为 AdvCal_2024.09.fps
另一个参数文件 AdvCal_SiC_2024.09.fps 面向基于 4H-SiC 的半导体器件工艺仿真。
这两个文件都位于目录 $STROOT/tcad/$STRELEASE/lib/sprocess/TclLib/AdvCal
AdvCal_2024.09.fps 的模型和参数推荐用于所有基于硅、SiGe 和锗衬底的技术。
这些模型已经在 1D 和 2D 仿真中经过了大量测试,并验证了精度与稳健性。
Sentaurus Process Kinetic Monte Carlo 也提供了 Advanced Calibration(参见第 629 页“Advanced Calibration for Sentaurus Process KMC”)。

7.2 使用 Advanced Calibration

Advanced Calibration 是所有基于硅、基于锗以及基于 4H-SiC 器件工艺仿真的推荐起点。
要在 Sentaurus Process 中使用 Advanced Calibration,请在命令文件开头加入:

tcl
AdvancedCalibration

或者:

tcl
AdvancedCalibration 2024.09

该命令会加载文件: $STROOT/tcad/$STRELEASE/lib/sprocess/TclLib/AdvCal/AdvCal_2024.09.fps
AdvancedCalibration 过程有两个可选参数 <version><material>,参数顺序不重要。
<material> 允许的取值为 "Si""SiGe""Ge""4H-SiC""SiC"
传入 "Si""SiGe""Ge" 或不传材料参数时,会调用面向 Si/SiGe/Ge 的默认 Advanced Calibration 参数文件。
传入 "4H-SiC""SiC" 时,会调用面向 4H-SiC 的 Advanced Calibration 文件。
例如,下面命令会调用 4H-SiC 的标定文件(AdvCal_SiC_2024.09.fps):

tcl
AdvancedCalibration 2024.09 4H-SiC

对于 SiC,还提供了一个额外文件(加密)用于更完整的氧化速率标定。
该模块需要许可证。
要加载 SiC 氧化速率标定,请使用:

tcl
AdvancedCalibration PowerSiC 2024.09

你也可以使用旧版本发布中的 Advanced Calibration 参数和模型。
例如:

tcl
AdvancedCalibration 2022.12

该命令会加载: $STROOT/tcad/$STRELEASE/lib/sprocess/TclLib/AdvCal/AdvCal_2022.12.fps

7.3 用户附加标定

Advanced Calibration 的前提是:参数文件中未改动的参数都采用 Sentaurus Process 默认参数。
要使用 AdvCal_2024.09.fps,必须在真实工艺流程描述之前先加载该文件。
你可以通过进一步微调物理参数来提高特定技术的精度。
这项工作应由熟悉 Sentaurus Process 扩散模型和回调过程的有经验用户完成。
最佳实践是将附加标定统一放入用户标定文件,例如 user_calibration.fps
这个文件包含相对于 Advanced Calibration 的所有项目级物理参数或回调过程修改。
在工艺仿真文件中,请在仿真开始处加入:

tcl
AdvancedCalibration 2024.09
source ./user_calibration.fps

这种方法的优势如下:

  • 工艺流程(位于 Sentaurus Process 命令文件)与物理模型/参数选择实现清晰分离。在某一特定技术的标定过程中,你可以先在命令文件里建立工艺流程,再仅通过参数文件修改提升仿真精度。反过来,如果要把同一套模型和参数应用到另一条工艺,只需替换工艺流程文件。
  • Advanced Calibration 文件作为起点,用户标定文件通常更短、更清晰,能够快速查看相对原始 Advanced Calibration 的所有参数改动。

> Note
> 关于 Advanced Calibration 所含内容与物理模型的详细文档,以及其精度与局限性的讨论,请参考 Advanced Calibration for Process Simulation User Guide 对应章节。
> 为加速功率技术工艺仿真,可使用 AdvancedPowerDeviceModeAdvancedPowerDeviceModeReset 过程。

最小可执行示例

下面示例用于验证 Advanced Calibration 是否正确加载,并演示“默认标定 + 用户附加标定”模式。

tcl
# sprocess_ch7_min.cmd
AdvancedCalibration 2024.09
source ./user_calibration.fps

line x location=0.0 spacing=0.02<um>
line x location=1.0 spacing=0.02<um>

region Silicon xlo=0.0 xhi=1.0
init concentration=1e15<cm^-3> field=Phosphorus

diffuse temperature=1000<C> time=10<s>

user_calibration.fps(最小示例):

tcl
# 仅演示“把项目特定参数集中放在独立文件”
# 实际参数请基于实测数据和工艺窗口标定
pdbSet Silicon Boron DiffModel ChargedPair

关键参数速查表

说明典型取值/示例备注
AdvancedCalibration加载 Advanced Calibration 入口过程AdvancedCalibration 2024.09建议放在命令文件最开头
<version>标定版本2024.092022.12可回退到历史版本做对比
<material>材料选择SiSiGeGe4H-SiCSiC4H-SiC/SiC 会切到 SiC 标定文件
PowerSiC 模块SiC 氧化速率附加标定AdvancedCalibration PowerSiC 2024.09需额外 license
source ./user_calibration.fps叠加项目专属标定source ./user_calibration.fps建议仅放“相对 AdvCal 的差异”
AdvCal 文件位置标定文件目录$STROOT/tcad/$STRELEASE/lib/sprocess/TclLib/AdvCal运行环境需可访问

常见问题与诊断步骤

1. 报错找不到 AdvCal 文件

诊断步骤:

  1. 检查 $STROOT$STRELEASE 是否正确。
  2. 检查目录 $STROOT/tcad/$STRELEASE/lib/sprocess/TclLib/AdvCal 是否存在。
  3. 确认目标版本文件(如 AdvCal_2024.09.fps)确实在该目录。

2. 4H-SiC 标定未生效

诊断步骤:

  1. 确认命令为 AdvancedCalibration 2024.09 4H-SiCAdvancedCalibration 2024.09 SiC
  2. 检查日志中是否实际加载了 AdvCal_SiC_2024.09.fps
  3. 确认未被后续脚本覆盖关键参数。

3. PowerSiC 命令报 license 或模块不可用

诊断步骤:

  1. 确认许可证包含对应模块。
  2. 使用 AdvancedCalibration 2024.09 4H-SiC 先验证基础 SiC 标定链路。
  3. 再启用 AdvancedCalibration PowerSiC 2024.09 做增量验证。

4. 用户标定文件导致结果异常漂移

诊断步骤:

  1. 保证顺序为先 AdvancedCalibrationsource ./user_calibration.fps
  2. user_calibration.fps 中逐项注释回退,定位引入偏差的参数。
  3. 对比基线(仅 AdvCal)与修改后结果,按单变量方式重新标定。

图片与资源

本章原文无独立插图。
若后续补图,请放置到:docs/public/images/sprocess/ch7/,并使用命名规则:figure-{n}-{short-topic}.png

相关链接

基于 Sentaurus TCAD 官方文档构建

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