🔧 SProcess 参考

工艺仿真器 - 1D/2D/3D 工艺仿真建模

概述

SProcess 是 Sentaurus TCAD 套件中的工艺仿真器，用于模拟半导体制造工艺 steps（掺杂、氧化、刻蚀、沉积等）。

主要命令块

网格生成

# 定义仿真区域和网格
DeviceRegion (Name=Silicon) {
    Axis = (0.0, 0.0, 0.0, 10.0, 0.0, 0.0)
    Intervals = (50, 1, 1)
}

掺杂分布

# 离子注入
Implant (Name=Phosphorus, Dose=1e15, Energy=80, Tilt=7, Rotation=0)

# 扩散
Diffuse (Time=30, Temperature=1000, Gas=Ar)

氧化

# 干氧氧化
Oxidize (Time=120, Temperature=950, DryOxygen)

# 湿氧氧化
Oxidize (Time=60, Temperature=950, WetOxygen)

刻蚀

# 各向异性刻蚀
Etch (Type=Anisotropic, Material=Silicon, Time=10)

# 各向同性刻蚀
Etch (Type=Isotropic, Material=Silicon, Rate=0.1)

仿真模式

模式	维度	适用场景
1D	一维	掺杂分布、氧化厚度
2D	二维	MOSFET 截面、结深
3D	三维	复杂器件结构

典型工艺流程

# 1. 初始化
Init (Temperature=25, ExternalMesh="mesh.smesh")

# 2. 氧化
Oxidize (Time=30, Temperature=900, DryOxygen)

# 3. 离子注入
Implant (Name=Boron, Dose=1e15, Energy=50)

# 4. 退火
Diffuse (Time=30, Temperature=1000, Gas=N2)

# 5. 金属化
Deposit (Material=Aluminum, Thickness=0.5)

扩展阅读

• SProcess User Guide（官方文档）