附录 A：命令参考

本附录描述 Sentaurus Process 命令。

语法约定（Syntax Conventions）

这些命令的设计目标是为工具命令语言（Tcl）的使用提供最优化的体验。命令语法遵循以下约定：

每个命令另起一行。
反斜杠（\）用于将命令延续到多行——仅当其出现在行尾时使用，且命令最后一行的末尾不包含反斜杠。
大括号——{ }：表示列表。大括号是语法的一部分。
方括号——[ ]：表示可选参数。方括号不是语法的一部分。
圆括号——( )：表示参数的分组。圆括号不是语法的一部分。
竖线——|：表示互斥选项，只能指定其中一个。竖线不是语法的一部分。
尖括号——< >：表示特定类型的输入。尖括号不是语法的一部分。

类型标识符

<c>：用字符串替换
<i>：用整数替换
<n>：用浮点数替换
<list>：用 Tcl 值列表替换
<field>：用字段名替换
<material>：用材料名替换
<solution>：用溶液名替换

通用参数

info=<i> - 设置打印到屏幕和日志文件的信息量（0、1 或 2）
parameters - 打印命令的所有可用参数

[页 1001–1003]

命令参数的量与单位

量	单位	因子
时间	s, ms, min, hr	1, 1e-3, 60, 3600
长度	cm, Angs, nm, um, m	1, 1e-8, 1e-7, 1e-4, 1e+2
体积	cm³, nm³, um³, m³	1, 1e-21, 1e-12, 1e+06
浓度	cm⁻³, m⁻³, um⁻³	1, 1e-6, 1e+12
速度	cm/s, nm/s, um/min	1, 1e-7, 1.67e-6
应力	dyn/cm², Pa, MPa, GPa	1, 1e+01, 1e+07, 1e+10
能量	eV, keV, MeV	1, 1e+03, 1e+06
温度	°C, K	1, 1

[页 1003–1006]

坐标系

命令中所有与坐标相关的参数默认按照统一坐标系（UCS）的方向定义：

up/top → -x 方向
down/bottom → +x 方向
left → -y 方向
right → +y 方向
back → -z 方向
front → +z 方向

[页 1006–1007]

alias

设置、清除和打印别名。

tcl

alias <c> [<c>] [-clear] [-list]

ambient

为材料生长反应创建新的气氛环境，或创建新的外延生长模式。

tcl

ambient
name=<c> (add | clear | delete | list | print)
[epi | inert | react]
[lkmc.atom.name=<c>]
[lkmc.mass=<n>[<amu>|<g>]]
[lkmc.num.atoms=<i>]

annealStepSettings

为某些扩散步骤设置 ILS 参数。

tcl

annealStepSettings [RTA | MLA | SiC | reset]

beam

为多束刻蚀创建束，并定义蚀刻束的方向和相对强度。

tcl

beam
name=<c> (direction= {<x> <y>} | incidence=<n>) factor=<n>
[list] [print]

boundary

控制将几何列（GC）结构转换为边界表示（brep）的过程。

tcl

boundary
[spx2brep.method= Advanced | MLS | Standard | VBE]

contact

定义新触点、删除触点并打印触点信息。

tcl

contact
[add] [clear] [list] [name=<c>] [print]
[box | point]

deposit

模拟沉积步骤并沉积一层新材料。

tcl

deposit
[<material>]
[anisotropic | crystal | fill | fourier | isotropic]
[thickness=<n>][<um>]
[rate=<n>[<um/min>]]
[time=<n>][<min>]
[type= anisotropic | crystal | directional | fill | fourier | isotropic | polygon | trapezoidal]

diffuse

模拟热退火、致密化以及退火期间的任何材料生长过程。

tcl

diffuse
(temp.ramp=<c> | time=<n> temperature=<n>)
[O2 | H2O | N2O | N2 | H2 | HCl | Cl2 | Epi | LTE]

doping

定义一个可与 deposit 命令一起使用的命名分段线性掺杂分布。

tcl

doping
field=<c> name=<c>
(depths= <list> | times= <list>)
stress.values= <list>
values= <list>

etch

移除暴露层的全部或部分。

tcl

etch
[anisotropic | cmp | isotropic | trapezoidal]
[material=<list>]
[rate=<list>]
[thickness=<n>][<um>]
[time=<n>][<min>]
[type= anisotropic | cmp | crystal | directional | fourier | isotropic | polygon | trapezoidal]

extract

指定在 diffuse 步骤期间提取历史数据的命令。

tcl

extract
[command= {<c> ...}]
[file.name=<c>]
[name=<c>] [print]

gas_flow

指定与 diffuse 或 temp_ramp 命令一起使用的气体混合物。

tcl

gas_flow
(clear | list | name=<c> | print)
[flow<ambient>=<n>][<l/min>]
[flows= {<ambient>=<n> ...}]
[pressure=<n>][<atm>]

grid

设置网格参数、执行网格操作并计算网格统计数据。

tcl

grid
[get.bbox | get.bulk.nodes | get.elements | get.mesh.stats]
[interpolate]
[merge]
[remesh [Adaptive]]

icwb

操作 IC WorkBench TCAD 布局文件的命令。

tcl

icwb
[bbox | create.all.masks | dimension | domain=<c>]
[filename=<c> | gds.file=<c>]

implant

指定注入模型参数并将离子种类注入晶圆。

tcl

implant
[energy=<n>][<keV>]
[dose=<n>][<cm-2>]
[<material>]
[species=<c>]
[tilt=<n>]

init

初始化仿真结构或读取先前的仿真结构。

tcl

init
[junction=<n> | slab | stripe]
[<dopant>=<n>]
[gds.file=<c> | tdr.file=<c>]
[keep.doping | keep.mesh]

line

在指定位置添加网格线。

tcl

line <axis> location=<n>[<unit>] [spacing=<n>[<unit>]]

mater

创建新材料或修改现有材料的属性。

tcl

mater
add <material> [new.like=<c>]

mask

定义掩模。

tcl

mask <name> [negative]

mgoals

设置 MGOALS 网格生成参数。

tcl

mgoals
[accuracy=<n>]
[resolution=<n>]

pdbGet / pdbSet

检索或设置参数数据库中的参数。

tcl

pdbGet <material> <parameter>
pdbSet <material> <parameter> <value>

photo

在掩模外部创建指定厚度的光刻胶层。

tcl

photo
[mask=<c>]
[thickness=<n>][<um>]

plot.1d / plot.2d

绘制 1D 或 2D 横截面。

tcl

plot.1d [x=<n>] [y=<n>] [clear]
plot.2d [boundary] [grid]

polygon

创建一个多边形。

tcl

polygon
name=<c>
[points= {<point1> <point2> ...}]
[rectangle max= {...} min= {...}]

polyhedron

创建并存储 3D 多面体。

tcl

polyhedron
name=<c>
[brick= {...} | tdr=<c>]
[type= cylinder | sphere | sti ...]

profile

读取数据文件并构造数据字段。

tcl

profile
name=<c>
[infile=<c>]
[concentration=<n>]
[logarithmic | linear]

reaction

定义用户反应。

tcl

reaction
[name=<c>]
[add | clear]
[equation=<c>]
[rate=<n>]

RefineBox

定义网格细化盒。

tcl

RefineBox
[name=<c>]
[xmin=<n> xmax=<n>]
[ymin=<n> ymax=<n>]
[resolution=<n>]

region

定义区域。

tcl

region
[name=<c>]
<material>
[xlo=<n> xhi=<n>]
[ylo=<n> yhi=<n>]

struct

保存或读取结构。

tcl

struct
[file=<c>]
[save | load]

temp_ramp

定义温度斜变。

tcl

temp_ramp
[name=<c>]
[t.final=<n>]
[ramprate=<n>]

transform

对结构进行变换。

tcl

transform
[translate= {<dx> <dy> [<dz>]}]
[rotate= <angle>]
[reflect]

命令	描述
`ArrBreak`	创建两个依赖于断点温度的阿伦尼乌斯表达式
`Arrhenius`	创建一个阿伦尼乌斯表达式
`bound`	提取材料或区域的边界
`Compatibility`	应用与先前版本默认值一致的参数
`contour`	在 2D 绘图上绘制等值线
`define`	定义一个 Tcl 变量
`defineproc`	定义一个 Tcl 过程
`DeleteRefinementboxes`	根据模式删除网格细化盒
`element`	提取指定材料的网格
`Enu2G`	从杨氏模量和泊松比计算剪切模量
`Enu2K`	从杨氏模量和泊松比计算体积模量
`equation`	测试解析和分解方程字符串
`exit`	终止 Sentaurus Process 的执行
`fbreak`	中断命令文件的执行
`fcontinue`	恢复执行命令文件
`fexec`	执行系统调用
`GetMoleFractionFields`	返回合金材料的组成元素字段
`GetMoleFractionParam`	返回给定参数插值的表达式
`graphics`	控制 Sentaurus Visual 中的绘图设置
`help`	打印所有可用命令的列表
`input`	指定模拟输入的来源
`interpolate`	在指定位置进行插值
`KMC2PDE`	将 KMC 粒子转换为 PDE 场
`line_edge_roughness`	模拟边缘粗糙度

附录 A：命令参考 ​

语法约定（Syntax Conventions） ​

类型标识符 ​

通用参数 ​

命令参数的量与单位 ​

坐标系 ​

alias ​

ambient ​

annealStepSettings ​

beam ​

boundary ​

contact ​

deposit ​

diffuse ​

doping ​

etch ​

extract ​

gas_flow ​

grid ​

icwb ​

implant ​

init ​

line ​

mater ​

mask ​

mgoals ​

pdbGet / pdbSet ​

photo ​

plot.1d / plot.2d ​

polygon ​

polyhedron ​

profile ​

reaction ​

RefineBox ​

region ​

struct ​

temp_ramp ​

transform ​

更多命令 ​