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第 33 章:热特性(Thermal Properties)
来源:
sdevice_ug.pdf第 33 章(W-2024.09) 页码范围:1056-1120
热容(Heat Capacity)
要使用 PMI 模型计算热容,请将模型名称指定为 HeatCapacity 的字符串选项(参见第 1389 页的热容)。要使用多态配置相关的 PMI 进行热容计算,请将模型及其参数指定为 PMIModel 的参数,而 PMIModel 又是 HeatCapacity 的参数(参见第 1379 页的多态配置相关热容)。
要使用恒定晶格热容而不修改参数文件,请指定 HeatCapacity(Constant)。
pmi_msc_heat容量模型
该模型可以依赖于多态配置(MSC)的态占据概率。如果没有给出对 MSC 的显式依赖,则允许对晶格温度进行分段线性(pwl)依赖,即:
如果模型依赖于 MSC,则对于每个 MSC 态,热容可以随温度呈 pwl 变化。然后根据以下公式计算总热容:
其中求和遍及所有 MSC 态, 是态占据概率。
通过以下方式在 Physics 部分激活该模型:
tcl
HeatCapacity (PMIModel (Name="pmi_msc_heatcapacity" MSConfig="msc0"))热导率(Thermal Conductivity)
热导率模型用于描述材料中热量传递的能力。
常数热导率
要使用常数热导率,请在 Physics 部分指定:
tcl
HeatCapacity (Constant)温度依赖热导率
可以使用温度依赖的热导率模型:
tcl
HeatCapacity (Model (Name="..."))多态配置相关热导率
对于涉及相变材料的器件,可以使用多态配置相关热导率:
tcl
HeatCapacity (PMIModel (Name="pmi_msc_thermal_conductivity" MSConfig="msc0"))热功率(Thermoelectric Power)
热功率描述了材料中温度梯度与电势梯度之间的关系。
电子热功率
电子热功率由以下公式给出:
空穴热功率
空穴热功率由以下公式给出:
塞贝克系数
总塞贝克系数为:
其中 和 分别是电子和空穴的电导率。
热产生率(Heat Generation Rate)
热产生率描述了器件中由于各种物理过程产生的热量。
焦耳热
焦耳热是最常见的热产生源:
复合热
载流子复合过程中释放的能量:
其中 是净复合率。
汤姆逊效应
汤姆逊热:
分布热阻(Distributed Thermal Resistance)
分布热阻模型用于描述器件中温度分布的空间依赖性。
定义分布热阻
tcl
Physics {
HeatTransfer {
ThermalResistance (Model (Name="..."))
}
}热阻参数
热阻模型参数包括:
- 参考温度
- 热阻系数
- 温度依赖关系
热电效应(Thermoelectric Effects)
热电效应结合了塞贝克、珀尔帖和汤姆逊效应。
珀尔帖系数
珀尔帖系数 与塞贝克系数的关系:
器件应用
在功率器件和 LED 等高功率密度器件中,热电效应对温度分布有显著影响。
参考文献
- Sentaurus Device User Guide, W-2024.09
- Semiconductor Device Physics and Technology
- Heat Transfer in Semiconductor Devices