Appearance
接触
NOTE
原文来源：Sentaurus Structure Editor User Guide, Version W-2024.09, Synopsys, Inc. PDF 源页码：第 6 章，对应 PDF 第 229–238 页
定义和激活接触
Contacts 是器件结构中与外部电极连接的区域，在 SDevice 仿真中需要指定电压/电流边界条件。
定义接触步骤：
- 选择要作为接触的边（2D）或面（3D）
- Contacts > Define Contact
- 输入接触名称
- SDE 自动创建接触区域并激活
TIP
接触名称必须合法，后续 SDevice 要使用该名称匹配边界条件。
删除接触
Contacts > Delete Contact 选择已定义接触删除。
分配边/面到接触
可以将多个边/面分配到同一个接触：
- 选择接触
- 选择要添加的边/面
- Contacts > Add to Contact
从接触移除边/面
- 选择接触
- 选择要移除的边/面
- Contacts > Remove from Contact
创建接触边/面
对于新建结构，你可以直接在几何上创建接触对应的边/面，不需要先创建几何区域再拆分。
Contacts > Create Contact Edge/Face 自动创建零厚度接触边界。
保护接触
在布尔运算和工艺仿真过程中，保护接触不被自动修改：
Contacts > Protect Contact 切换保护开关。
受保护的接触：
- 布尔运算不会裁剪接触边界
- 工艺步骤不会改变接触形状
接触分配示例
二维接触示例
| 器件类型 | 接触位置 |
|---|---|
| 平面 MOSFET | 源漏区顶面、栅氧顶面 |
| 二极管 | 阳极正面、阴极背面 |
三维接触示例
- 功率 MOSFET：漏极衬底底面、源极正面、栅极多晶硅顶面
不同类型接触创建举例
创建多个二维接触
scheme
; 源接触
(sdegeo:create-rectangle 0 0.5 0 0.1 "silver" "source")
(sde-contacts:define source-contact)
; 漏接触
(sdegeo:create-rectangle 5 5.5 0 0.1 "silver" "drain")
(sde-contacts:define drain-contact)
; 栅接触
(sdegeo:create-rectangle 2 3 0.1 0.15 "polysilicon" "gate")
(sde-contacts:define gate-contact)检查接触
在 SDE 中，接触会以高亮颜色显示在视图中，可以点击接触列表检查几何是否正确。
WARNING
必须确保：
- 接触覆盖完整的边/面
- 接触名称与 SDevice 边界条件中名称完全一致
- 接触没有被材料完全包围（必须暴露在边界上供电极连接）
本章小结
- 接触是 SDevice 仿真边界条件的几何对应
- 每个接触对应一个命名，必须唯一
- 可以添加/删除边/面，保护接触不被修改
- 命名一致性是下游仿真成功的关键