Ch25（3/6）：Fiegna 与 PMI

Fiegna 热载流子注入

根据 Fiegna 模型 [2]，总热载流子注入电流可以写成：

其中：

• 是电子能量
• 是半导体-绝缘体势垒的高度
• 是垂直于界面的速度
• 是电子能量分布
• 是电子的态密度
• 是在镜像力势阱中散射的概率（如公式 867 所述）
• 是沿半导体-绝缘体界面的积分

对于抛物线和各向同性带结构，以及晶格与电子之间的平衡，提出了以下电子能量分布表达式：

因此，栅极电流可以重写为：

其中 是有效电场（参见第 886 页的"有效电场"）。

表 151：Fiegna 模型的系数及其默认值

符号	参数名称（电子）	默认值（电子）	参数名称（空穴）	默认值（空穴）	单位
	eA	4.87×10⁴	hA	4.87×10⁴	cm/s/eV²·⁵
	eChi	1.3×10⁸	hChi	1.3×10⁸	(V/cm)/eV³
	eLins	3.2×10⁻⁷	hLins	3.2×10⁻⁷	cm
	eBar0	3.1	hBar0	4.7	eV
	eBL12	2.6×10⁻⁴	hBL12	2.6×10⁻⁴	(V·cm)¹/²
	eBL23	1.5×10⁻⁵	hBL23	1.5×10⁻⁵	(V·cm²)¹/³
	eFeff_exp	1.5	hFeff_exp	1.5	1
	eps_ins	3.1	eps_ins	3.1	1
	Prepel	1	Prepel	1	1
	Ptotal	0	Ptotal	0	1

这些系数可以在参数文件的 FiegnaModel 部分中更改。