Ch25（2/6）：Lucky 模型

经典 Lucky 电子注入

从界面到栅极触点的经典 total lucky 电子电流可以写成 [1]：

其中 是电子在不失任何能量的情况下移动距离 到界面的概率， 是电子能量在 和 之间的概率， 是在镜像力势阱中散射的概率（公式 867）， 是电子被重定向的概率。这些概率由以下表达式给出：

其中：

• 是半导体中的散射平均自由程
• 是重定向平均自由程
• 是有效电场（参见第 886 页的"有效电场"）
• 是半导体-绝缘体势垒的高度

模型系数可以在参数文件的以下部分更改：

LuckyModel { ... }

表 150：Lucky 电子模型的系数及其默认值

符号	参数名称（电子）	默认值（电子）	参数名称（空穴）	默认值（空穴）	单位
	eLsem	8.9×10⁻⁷	hLsem	1.0×10⁻⁷	cm
	eLins	3.2×10⁻⁷	hLins	3.2×10⁻⁷	cm
	eLsemR	6.2×10⁻⁶	hLsemR	6.2×10⁻⁶	cm
	eBar0	3.1	hBar0	4.7	eV
	eBL12	2.6×10⁻⁴	hBL12	2.6×10⁻⁴	(V·cm)¹/²
	eBL23	3.0×10⁻⁵	hBL23	3.0×10⁻⁵	(V·cm²)¹/³
	eps_ins	3.1	eps_ins	3.1	1
	Pvertical	1	Pvertical	1	1
	Prepel	1	Prepel	1	1
	Ptotal	0	Ptotal	0	1

来自物理模型接口的半导体散射平均自由程

您可以为 eLsem 和 hLsem 的自定义计算创建平均自由程 PMI 模型（参见第 1529 页的"经典 Lucky 电子注入的平均自由程"）。