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Ch10(3/3):周期与界面条件

周期性边界条件(PBC)的使用有助于周期性器件结构的仿真,例如单元的行或阵列。您可以在单个单元的较低和较高边界平面(垂直于坐标系主轴)提供 PBC。解的周期性意味着两个边界平面在实际上是相同的,从而形成 PBC 界面:解在该界面处(弱)连续,并且电流(或一般情况下的通量)可以从一侧流到另一侧。

您可以在两个不同的数值 PBC 方法之间进行选择,称为 Robin PBC(RPBC)方法和 mortar PBC(MPBC)方法。两种方法都支持:

  • 多种输运模型:漂移-扩散、热力学和流体动力学输运
  • 一致和非一致的几何和网格
  • 二维和 3D 器件结构
  • 通量守恒(例如,连续性方程的电流守恒)
  • 一重和二重周期性

Robin PBC 方法

RPBC 方法在 PBC 界面的两侧之间使用电流(或通量)模型:

其中 是方程的解变量, 是通过 PBC 界面的通量密度, 是用户提供的调优参数。

Mortar PBC 方法

在 MPBC 方法中,PBC 界面的两侧有效地粘合在一侧(mortar 侧),而在另一侧(非 mortar 侧),对方程势(通常是解变量)施加弱连续性条件。MPBC 方法在几何和网格非一致时对于 mortar 侧的选择不是对称的。

周期性边界条件的规范

通过在全局或器件 Math 部分中使用 PeriodicBC 来激活周期性边界条件:

tcl
Math {
    PeriodicBC(
        (Direction=0 Coordinates=(-1.0 2.0))
        (Poisson Direction=1 Coordinates=(-1e50 1e50))
        (Electron Direction=1 Coordinates=(-1e50 1e50) Factor=2.e8)
    )
}

NOTE

如果界面两侧的材料参数或掺杂浓度不同,RPBC 可能会导致非物理解。

对于 MPBC 方法,通过以下方式激活:

tcl
PeriodicBC ( ( Type=MPBC Direction=1 MortarSide=Ymax ) )

不连续界面

不连续界面推广了用于半导体-半导体界面(见突变和缓变异质结,第60页和第908页第26章)异质界面仿真的框架。它们为在区域界面上产生物理量的不连续性建立了模型基础。

界面上物理量的表示

几个界面条件导致这些界面上的物理量不连续。如果所有物理量在该界面上使用不连续表示,则界面是不连续界面。通过应用(通常是隐式)相应的界面条件来保证选定量的连续性。默认情况下,不连续界面上的界面条件意味着解变量的连续性。

您可以通过在任何 Physics 部分中使用 Discontinuity 来强制每个界面成为不连续界面:

tcl
Physics ( MaterialInterface= "Silicon/Oxide" ) {
    Discontinuity
}

不连续界面允许在任何两个区域之间,无论其材料或材料组(半导体、绝缘体或导体)如何。它们隐式或显式地用于以下界面模型:

  • 偶极层(见第250页)
  • 分布热阻(见第305页)
  • 异质界面(见第60页)
  • 热发射(见第908页第26章)
  • 半导体浮接栅概念(见第882页)
  • 光学独立仿真

不连续界面上的界面条件

在不连续界面上(涉及任意材料组),允许与漂移-扩散、热力学和流体动力学输运相关的界面条件。

临界点

几个界面相交或界面与边界或接触相交的几何位置是所谓的临界点。在这些临界点上,通常无法满足所有界面条件,冲突通过隐式规则解决。

临界点支持以下条件:不连续界面的集合为空,或者是所涉及界面的全部,或者是异质界面的全部。

参考文献

[1] A. Schenk and S. Müller, "Analytical Model of the Metal-Semiconductor Contact for Device Simulation," in Simulation of Semiconductor Devices and Processes (SISDEP), vol. 5, Vienna, Austria, pp. 441–444, September 1993.

[2] A. Schenk, Advanced Physical Models for Silicon Device Simulation, Wien: Springer, 1998.

[3] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, New York: John Wiley & Sons, 2nd ed., 1981.

[4] A. M. Cowley and S. M. Sze, "Surface states and barrier height of metal-semiconductor systems," Journal of Applied Physics, vol. 36, no. 10, pp. 3212–3220, 1965.

[5] W. Mönch, "Chemical trends of barrier heights in metal-semiconductor contacts: on the theory of the slope parameter," Applied Surface Science, vol. 92, pp. 367–371, February 1996.

[6] A. Tugulea and D. Dascalu, "The image-force effect at a metal-semiconductor contact with an interfacial insulator layer," Journal of Applied Physics, vol. 56, no. 10, pp. 2823–2831, 1984.

[7] K. Varahramyan and E. J. Verret, "A Model for Specific Contact Resistance Applicable for Titanium Silicide–Silicon Contacts," Solid-State Electronics, vol. 39, no. 11, pp. 1601–1607, 1996.

[8] V. L. Rideout and C. R. Crowell, "Effects of Image Force and Tunneling on Current Transport in Metal–Semiconductor (Schottky Barrier) Contacts," Solid-State Electronics, vol. 13, no. 7, pp. 993–1009, 1970.

[9] S. Sugino et al., "Analysis of Writing and Erasing Procedure of Flotox EEPROM Using the New Charge Balance Condition (CBC) Model," in Workshop on Numerical Modeling of Processes and Devices for Integrated Circuits (NUPAD IV), Seattle, WA, USA, pp. 65–69, May 1992.

[10] G. K. Wachutka, "Rigorous Thermodynamic Treatment of Heat Generation and Conduction in Semiconductor Device Modeling," IEEE Transactions on Computer-Aided Design, vol. 9, no. 11, pp. 1141–1149, 1990.

基于 Sentaurus TCAD 官方文档构建

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